技术与制程

技术与制程

最先进制程技术转移

自欧洲即日本领导厂商取得最先进的技术及设备，透过制程技术移转，快速达成优质产品的生产技术水准。

自我技术精进

在既有的基础上，持续自行研发创新，提升技术水准，追求太阳能电池生产品质上的成长与突破。

跨产业的经验整合

生产团队结合了台湾在半导体制造及电子科技的丰富经验与优势，技术卓越、竞争力十足。

研发背景坚强<

长期与多所国内外学术研究机构密切合作，并获得台湾政府和学者专家的强力支持，技术研发的背景坚强。

标准制程说明

粗糙化蚀刻

通过进料检测的矽晶片于此阶段去除切片之锯痕，并以酸液将晶片表面蚀刻成粗糙面，降低入射光之反射率，使入射之光能得以充分利用。

磷扩散

晶片在高温炉中通入含磷气体，使电洞较多的P型矽晶片表层渗入磷，形成电子较多的N型区域。此即光电转换效应所需的P-N junction。

磷玻璃蚀刻

磷扩散过程中会在整片晶片外层形成磷玻璃，必须以酸洗去除后才能进行后续制程。

电浆辅助化学汽相沉积

矽甲烷与氨气在高温炉中反应，于晶片表面形成氮化矽抗反射镀层，其颜色以蓝色为主，因镀层厚度不同也可能呈蓝紫色或浅蓝色。

网印

正反面之粗细电极皆以网印之方式将含银、含铝之浆料印制于晶片表面，此制程分三段进行，第一站印制正面，第二段印制反面粗电极，第三段则以铝浆印满反面其余面积。各站之间均需经过烘干炉以及光学检测系统，以确保网印内容及定位正确无误。

快速烧结

金属浆料经过网印、烘干之步骤，需经过烧结处理才能穿透正面氮化矽镀层并渗入矽晶片表层，紧密结合并将电流导出。各阶段热处理之温度设定对于产品效率以及粗电极可焊性、焊接强度皆有影响。

雷射晶边绝缘

以P型矽晶片制作之太阳能电池正面为负极(-)，背面为正极(+)，为避免正负两极之间在晶片边缘有短路之现象，需以雷射光束沿晶片边缘处切割出一道深度超过PN junction之凹槽，如此电流才能正确导出。此功能也可由电浆处理或化学蚀刻制程进行。

效能测试及分类

所有产品以全自动设备检测正反面外观以及量测光电转换效率等电性资料后，依据本公司设定之产品分类定义进行筛选分类，其中用以校正电性量测机台之标准片定期送交德国Fraunhofer ISE检测，以确保产品标示效率等级之正确性。