Technologien und Produktion

Technische und Produktionsverfahren

Vollprozess-Transfer fortschrittlichster Produktionsverfahren

Gintech setzt fortschrittlichste Fertigungstechnologien zur Produktion höchstwertiger Solarzellen ein und greift dabei zusätzlich auf bewährte Verfahren führender europäischer und japanischer PV-Anbieter zurück.

Technologischer Vorteil

Zur Realisierung beispielhaften Wachstums und zur Umsetzung technologischer Durchbrüche konsolidiert Gintech sämtliche erdenklichen Ressourcen zur stetigen Verbesserung von Produkten und Verfahren.

Branchenübergreifende Erfahrung

Dank facettenreiche Expertise und weitreichende Erfahrung bei Halbleitertechnik und Elektronik brilliert Gintechs Produktionsteam durch seine unerreichte Wettbewerbskraft.

Intensive Zusammenarbeit bei Forschung und Entwicklung

Gintech arbeitet eng mit weltweit führenden Forschungs- und Bildungseinrichtungen zur Klärung technologischer Fragen zusammen. Zusätzlich erfreuen wir uns intensiver Unterstützung durch akademische und Regierungsinstitutionen.

Standardisierte Produktionsverfahren

Rauh-Ätzen

In dieser Phase werden Schnittspuren nach der Eingangsinspektion von Silizium-Wafern entfernt und die Wafer-Oberflächen flüssig angeätzt. Dadurch werden Reflexionen einfallenden Lichtes reduziert und der Wirkungsgrad verbessert.

Phosphordiffusion

Phosphorgas wird bei hoher Temperatur in den Wafer injiziert; dadurch wird die stark positiv geladene Wafer-Siliziumschicht mit Phosphor dotiert und erhält einen negativ geladenen Bereich mit höherer Elektronenanzahl. Dieser so genannte P-N-Übergang schafft die Voraussetzungen für photovoltaische Umwandlungseffekte.

Phosphorglas-Ätzen

Bei der Phosphordiffusion entsteht Phosphorglas an den Außenflächen des Wafers. Diese Phosphorglasablagerungen werden vor der Weiterverarbeitung durch ein Säurebad entfernt.

Plasmagasphasen
-abscheidung (PECVD)

Durch Wechselwirkungen zwischen Siliziumwasserstoff und Ammoniak lässt sich bei der Verarbeitung in Hochtemperaturöfen eine Siliziumnitrid-Antireflexionsbeschichtung auf die Wafer-Oberfläche aufbringen. Je nach Stärke weist diese Beschichtung eine bläuliche bis bläulich-purpurfarbene Tönung auf.

Siebdruck

Unter Verwendung von Silber- und Aluminiumschlamm werden im Siebdruckverfahren dünne und stärkere Elektroden auf beide Oberflächen des Wafers aufgebracht. Dieser Prozess setzt sich aus drei Schritten zusammen: Zunächst wird die Vorderseite bedruckt, anschließend wird die stärkere Elektrode aufgebracht, dann der restliche Bereich auf der anderen Seite unter Anwendung von Aluminiumschlamm bedruckt. Zwischen den einzelnen Schritten durchläuft der Wafer einen Trockenofen und optische Prüfsysteme; so werden einwandfreier Siebdruck und korrekte Positionierung gewährleistet.

Schnellsinterung

Nachdem die Metallschlämme die Siebdruck- und Trocknungsphasen durchlaufen haben, folgt eine Schnellsinterung zur Durchdringung der Siliziumnitrid-Beschichtung an der Frontseite und zur optimalen Leitung des elektrischen Stroms.

Laser-Kristallkantenisolierung

Die Vorderseite einer Solarzelle vom P-Siliziumwafertyp weist eine negative (-), die Rückseite eine positive Ladung (+) auf. Mit einem Laser wird ein Schnitt bis unter den P-N-Übergang des Wafers ausgeführt, damit es nicht zu Kurzschlüssen zwischen positiver und negativer Seite kommen kann. Dieser Schritt kann auch bei der Plasmabehandlung und beim chemischen Ätzen ausgeführt werden.

Leistungsprüfung und Klassifikation

Nach der Prüfung von Vorder- und Rückseite werden photovoltaischer Umsetzungswirkungsgrad und weitere elektrische Parameter sämtlicher Produkte durch automatische Prüfgeräte ermittelt. Anschließend erfolgen Selektion und Klassifikation gemäß Gintech-Richtlinien. Durchschnittliche Wafer zur Verifizierung elektrischer Parameter werden zur unabhängigen Prüfung regelmäßig dem Fraunhofer ISE übergeben; so wird eine stets exakte Produktkennzeichnung sichergestellt.