技術與製程

技術與製程

最先進製程技術轉移

自歐洲即日本領導廠商取得最先進的技術及設備,透過製程技術移轉,快速達成優質產品的生產技術水準。

自我技術精進

在既有的基礎上,持續自行研發創新,提升技術水準,追求太陽能電池生產品質上的成長與突破。

跨產業的經驗整合

生產團隊結合了台灣在半導體製造及電子科技的豐富經驗與優勢,技術卓越、競爭力十足。

研發背景堅強

長期與多所國內外學術研究機構密切合作,並獲得台灣政府和學者專家的強力支持,技術研發的背景堅強。

 

標準製程說明

粗糙化蝕刻

通過進料檢測的矽晶片於此階段去除切片之鋸痕,並以酸液將晶片表面蝕刻成粗糙面,降低入射光之反射率,使入射之光能得以充分利用。

 

磷擴散

晶片在高溫爐中通入含磷氣體,使電洞較多的P型矽晶片表層滲入磷,形成電子較多的N型區域。此即光電轉換效應所需的P-N junction。

 

磷玻璃蝕刻及晶邊絕緣

磷擴散過程中會在整片晶片外層形成磷玻璃,必須以酸洗去除後才能進行後續製程。此外,晶邊絕緣也同時在此製程完成。

電漿輔助化學汽相沉積

矽甲烷與氨氣在高溫爐中反應,於晶片表面形成氮化矽抗反射鍍層,其顏色以藍色為主,因鍍層厚度不同也可能呈藍紫色或淺藍色。

網印

正反面之粗細電極皆以網印之方式將含銀、含鋁之漿料印製於晶片表面,此製程分三段進行,第一站印製正面,第二段印製反面粗電極,第三段則以鋁漿印滿反面其餘面積。各站之間均需經過烘乾爐以及光學檢測系統,以確保網印內容及定位正確無誤。

快速燒結

金屬漿料經過網印、烘乾之步驟,需經過燒結處理才能穿透正面氮化矽鍍層並滲入矽晶片表層,緊密結合並將電流導出。各階段熱處理之溫度設定對於產品效率以及粗電極可焊性、焊接強度皆有影響。

效能測試及分類

所有產品以全自動設備檢測正反面外觀以及量測光電轉換效率等電性資料後,依據本公司設定之產品分類定義進行篩選分類,其中用以校正電性量測機台之標準片定期送交德國Fraunhofer ISE檢測,以確保產品標示效率等級之正確性。